Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, -3.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

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RS品番:
262-6741
メーカー型番:
IRF7606TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、スイッチング損失を軽減するための低ゲートドレイン充電を備えています。高周波DC-DCコンバータとの併用に適しています。

完全に特性化されたアバランシェ電圧及び電流

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