Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 26 A スルーホール パッケージTO-220フルパック 3 ピン
- RS品番:
- 262-6756
- メーカー型番:
- IRFI4227PBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価： 購入単位は2000個
￥265.385
(税抜)
￥291.923
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥265.385 | ￥530,770.00 |
| 4000 - 18000 | ￥257.463 | ￥514,926.00 |
| 20000 - 28000 | ￥243.732 | ￥487,464.00 |
| 30000 - 38000 | ￥236.866 | ￥473,732.00 |
| 40000 + | ￥230.001 | ￥460,002.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 262-6756
- メーカー型番:
- IRFI4227PBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
データシート
その他
詳細情報
InfineonパワーMOSFETは、プラズマディスプレイパネルのエネルギー回収及びパススイッチ用途向けに特別に設計されています。このMOSFETは、最新の処理技術を使用して、シリコンエリアあたりの低オン抵抗と低EPULSE定格を実現します。
動作ジャンクション温度: 150 °C
高い繰り返しピーク電流容量
高い繰り返しピーク電流容量
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 26 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| シリーズ | HEXFET |
| パッケージタイプ | TO-220フルパック |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
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