Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 63 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK
- RS品番:
- 262-6778
- メーカー型番:
- IRFU4510PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥116.002 | ￥348,006 |
| 6000 - 27000 | ￥114.296 | ￥342,888 |
| 30000 - 42000 | ￥112.59 | ￥337,770 |
| 45000 - 57000 | ￥110.885 | ￥332,655 |
| 60000 + | ￥109.179 | ￥327,537 |
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- RS品番:
- 262-6778
- メーカー型番:
- IRFU4510PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 143W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 143W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.39mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、ゲート、アバランシェ、ダイナミックdV/dtの堅牢性の向上、静電容量及びアバランシェSOAの完全特性などの利点を備えています。
強化されたボディダイオードdV/dt及びdI/dt機能