Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 63 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK, IRFU4510PBF
- RS品番:
- 262-6779
- メーカー型番:
- IRFU4510PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,096.00
(税抜)
￥1,205.60
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,975 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥219.20 | ￥1,096 |
| 150 - 1420 | ￥211.20 | ￥1,056 |
| 1425 - 1895 | ￥202.80 | ￥1,014 |
| 1900 - 2395 | ￥194.80 | ￥974 |
| 2400 + | ￥186.40 | ￥932 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 262-6779
- メーカー型番:
- IRFU4510PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 143W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 143W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.39mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、ゲート、アバランシェ、ダイナミックdV/dtの堅牢性の向上、静電容量及びアバランシェSOAの完全特性などの利点を備えています。
強化されたボディダイオードdV/dt及びdI/dt機能