Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 80 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK, IRFU3607PBF
- RS品番:
- 165-7585
- メーカー型番:
- IRFU3607PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 75 - 300 | ￥105.133 | ￥7,885 |
| 375 - 675 | ￥103.587 | ￥7,769 |
| 750 - 1800 | ￥102.04 | ￥7,653 |
| 1875 - 3675 | ￥100.493 | ￥7,537 |
| 3750 + | ￥98.947 | ￥7,421 |
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- RS品番:
- 165-7585
- メーカー型番:
- IRFU3607PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 56nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 56nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.39 mm | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MX
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V
Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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