Microchip MOSFET, タイプPチャンネル 350 V, -200 mA MOSFET, スルーホール, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥217,998.00

(税抜)

￥239,799.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥72.666￥217,998
6000 - 27000￥71.211￥213,633
30000 - 42000￥69.784￥209,352
45000 - 57000￥68.394￥205,182
60000 +￥67.022￥201,066

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
264-8931
メーカー型番:
TP5335K1-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-200mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

350V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

チャンネルモード

MOSFET

最大許容損失Pd

0.36W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

マイクロチップ社のPチャネル低しきい値エンハンスメントモード（通常オフ）MOSFETは、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。

高入力インピーダンスと高ゲイン

低消費電力

並列化が容易

低 CISS と高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース・ドレイン間の内蔵ダイオード

二次降伏なし

関連ページ