Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 350 V, 135 mA デプレッション型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, DN3135K1-G

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梱包形態
RS品番:
165-6450
メーカー型番:
DN3135K1-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

135mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

350V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

DN3135

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.8V

最大許容損失Pd

1.3W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.02mm

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

Lead (Pb)-free/RoHS

自動車規格

なし

DN3135低しきい値デプレッションモード(通常オン)トランジスタで、高度な垂直型DMOS構造と実績あるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの定格入力と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、高降伏電圧、高入力インピーダンス、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及びアンプ製品に最適です。

高入力インピーダンス

低入力静電容量

高速なスイッチング速度

低オン抵抗

二次降伏なし

低い入力及び出力漏れ

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