Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIHA150N60E-GE3
- RS品番:
- 268-8288
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8288
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHA | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8DC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHA | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8DC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHAシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流9 A - SIHA150N60E-GE3
このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。高電圧処理とコンパクトなアセンブリが必要な産業および電子制御環境に適したエンハンスメントモードトランジスタとして動作します。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 9 Aの連続ドレイン電流により、適度な電力負荷をサポート • 0.158 Ω RDS(on)により、伝導損失を最小限に抑え、効率を向上 • 36 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブタイミングを実現 • 179 Wの消費電力により、大幅な熱負荷を管理 • 150°Cの最高動作温度により、高温での使用が可能
用途
• 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適 • 産業用モータ‐ドライブスイッチングステージに最適 • スイッチモード電源プライマリ側スイッチに使用 • オートメーションシステムの誘導負荷スイッチングに使用可能
どのようなゲートドライブの制限に対して計画する必要がありますか?
ゲートは、標準的なゲート電荷36 nCの±30 V以内で駆動する必要があります。
ドライバが必要な充電とスイッチング速度を供給できるようにします。
連続運転のために、熱管理にどのようにアプローチする必要がありますか?
179 Wの消散能力と最大ジャンクション温度150 °Cを備え、適切な基板サーマルビー、銅エリア、又はヒートシンクを使用してジャンクション温度を限界内に維持します。
このデバイスは自動車認定に適していますか?
自動車規格に準拠していることは指定されていないため、追加の検証なしで認定された自動車用途に適しているとは考えないでください。
パッケージと取り付けに関する考慮事項は、レイアウトに影響しますか?
このデバイスは、8ピンのPowerPAK SO‐8DC表面実装パッケージで提供されます。
プランパッド形状およびサーマルパッドにより、低い熱抵抗と信頼性の高いはんだ接合を実現します。
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