Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 9 A, 0.158 Ω, 36 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8DC
- RS品番:
- 268-8288
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8288
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHA | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8DC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHA | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8DC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHAシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流9A - SIHA150N60E-GE3
このMOSFETは、表面実装用途での電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、大きな電圧ヘッドルームと中程度の連続電流を必要とする回路向けに設計されています。このデバイスは、コンパクトな基板レイアウトに適したPowerPAK SO-8DCパッケージで提供されます。
特長：
• 650 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングを実現
• 9Aの連続ドレイン電流により、適度な電力供給をサポート
• 0.158Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179Wの消費電力により、高い負荷処理を実現
• 36nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 9Aの連続ドレイン電流により、適度な電力供給をサポート
• 0.158Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179Wの消費電力により、高い負荷処理を実現
• 36nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• サーバーおよび通信電源管理モジュールに使用
• 高電圧スイッチを必要とするLEDドライバに使用可能
• インバータおよびUPS電源段に最適
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• サーバーおよび通信電源管理モジュールに使用
• 高電圧スイッチを必要とするLEDドライバに使用可能
• インバータおよびUPS電源段に最適
PCBアセンブリにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
PowerPAK SO-8DCパッケージで提供される表面実装デバイスで、SO-8DCフットプリントと互換性のある基板へのリフローはんだ付け用に設計されています。
広範な温度環境ではどのように動作しますか?
このトランジスタの定格動作温度は-55°C～150°Cで、低周囲条件や高い内部加熱にさらされるシステムでの使用が可能です。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
ゲート-ソース間電圧は±30Vを超えてはならないため、ゲートドライバはゲート酸化ストレスを防止するために、その範囲内に制限する必要があります。
このコンポーネントの有害物質を制限する基準は何ですか?
このデバイスはRoHS要件に適合しており、製造中の特定の危険物に関する制限を示しています。
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