Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIHA150N60E-GE3

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RS品番:
268-8287
メーカー型番:
SIHA150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SIHA

パッケージ型式

PowerPAK SO-8DC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.158Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay SIHAシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流9 A - SIHA150N60E-GE3


このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。高電圧処理とコンパクトなアセンブリが必要な産業および電子制御環境に適したエンハンスメントモードトランジスタとして動作します。

特長:


• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 9 Aの連続ドレイン電流により、適度な電力負荷をサポート • 0.158 Ω RDS(on)により、伝導損失を最小限に抑え、効率を向上 • 36 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブタイミングを実現 • 179 Wの消費電力により、大幅な熱負荷を管理 • 150°Cの最高動作温度により、高温での使用が可能

用途


• 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適 • 産業用モータ‐ドライブスイッチングステージに最適 • スイッチモード電源プライマリ側スイッチに使用 • オートメーションシステムの誘導負荷スイッチングに使用可能

どのようなゲートドライブの制限に対して計画する必要がありますか?


ゲートは、標準的なゲート電荷36 nCの±30 V以内で駆動する必要があります。

ドライバが必要な充電とスイッチング速度を供給できるようにします。

連続運転のために、熱管理にどのようにアプローチする必要がありますか?


179 Wの消散能力と最大ジャンクション温度150 °Cを備え、適切な基板サーマルビー、銅エリア、又はヒートシンクを使用してジャンクション温度を限界内に維持します。

このデバイスは自動車認定に適していますか?


自動車規格に準拠していることは指定されていないため、追加の検証なしで認定された自動車用途に適しているとは考えないでください。

パッケージと取り付けに関する考慮事項は、レイアウトに影響しますか?


このデバイスは、8ピンのPowerPAK SO‐8DC表面実装パッケージで提供されます。

プランパッド形状およびサーマルパッドにより、低い熱抵抗と信頼性の高いはんだ接合を実現します。

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