Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 9 A, 0.158 Ω, 36 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8DC
- RS品番:
- 268-8287
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計：*
￥22,248
(税抜)
￥24,473
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 950 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥444.96 | ￥22,248 |
| 250 - 450 | ￥440.00 | ￥22,000 |
| 500 - 1200 | ￥431.02 | ￥21,551 |
| 1250 - 2450 | ￥423.08 | ￥21,154 |
| 2500 + | ￥414.10 | ￥20,705 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
代替品 / 類似品
この製品は現在お取り扱いしておりません。 お勧めの代替品です。
購入単位は2個
￥1,662
(税抜)
￥1,828
(税込)
- RS品番:
- 268-8287
- メーカー型番:
- SIHA150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8DC | |
| シリーズ | SIHA | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8DC | ||
シリーズ SIHA | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHAシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流9A - SIHA150N60E-GE3
このMOSFETは、表面実装用途での電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、大きな電圧ヘッドルームと中程度の連続電流を必要とする回路向けに設計されています。このデバイスは、コンパクトな基板レイアウトに適したPowerPAK SO-8DCパッケージで提供されます。
特長：
• 650 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングを実現
• 9Aの連続ドレイン電流により、適度な電力供給をサポート
• 0.158Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179Wの消費電力により、高い負荷処理を実現
• 36nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 9Aの連続ドレイン電流により、適度な電力供給をサポート
• 0.158Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179Wの消費電力により、高い負荷処理を実現
• 36nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• サーバーおよび通信電源管理モジュールに使用
• 高電圧スイッチを必要とするLEDドライバに使用可能
• インバータおよびUPS電源段に最適
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• サーバーおよび通信電源管理モジュールに使用
• 高電圧スイッチを必要とするLEDドライバに使用可能
• インバータおよびUPS電源段に最適
PCBアセンブリにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
PowerPAK SO-8DCパッケージで提供される表面実装デバイスで、SO-8DCフットプリントと互換性のある基板へのリフローはんだ付け用に設計されています。
広範な温度環境ではどのように動作しますか?
このトランジスタの定格動作温度は-55°C～150°Cで、低周囲条件や高い内部加熱にさらされるシステムでの使用が可能です。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
ゲート-ソース間電圧は±30Vを超えてはならないため、ゲートドライバはゲート酸化ストレスを防止するために、その範囲内に制限する必要があります。
このコンポーネントの有害物質を制限する基準は何ですか?
このデバイスはRoHS要件に適合しており、製造中の特定の危険物に関する制限を示しています。
関連ページ
- Vishay MOSFET 650 V 0.158 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8DC
- Vishay MOSFET 650 V 0.061 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay MOSFET 650 V 0.059 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay MOSFET 650 V 0.043 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay MOSFET 600 V 0.158 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 40 V 0.0026 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay MOSFET 600 V 0.158 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 71 mΩ 5ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8