Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH085N60EF-T1GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,798,650.00

(税抜)

￥1,978,500.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥599.55￥1,798,650
6000 - 6000￥590.733￥1,772,199
9000 - 9000￥581.916￥1,745,748
12000 - 12000￥573.099￥1,719,297
15000 +￥564.282￥1,692,846

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
268-8300
メーカー型番:
SIHH085N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SIHH

パッケージ型式

PowerPAK 8 x 8

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.085Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

184W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

8mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TW
Vishay EFシリーズパワーMOSFETは、高速ボディダイオード及び4世代Eシリーズテクノロジーを備え、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、電力ファクタの正確化などの用途で使用されています。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

関連ページ