型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH085N60EF-T1GE3

RS品番:: 268-8300
メーカー型番:: SIHH085N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH085N60EF-T1GE3

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6000 - 6000	￥624.936	￥1,874,808
9000 - 9000	￥617.407	￥1,852,221
12000 - 12000	￥610.056	￥1,830,168
15000 +	￥602.88	￥1,808,640

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RS品番:: 268-8300
メーカー型番:: SIHH085N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 8 x 8
	シリーズ	SIHH
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.085Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	184W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	63nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	長さ	8mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8
	シリーズ SIHH
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.085Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 184W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	長さ 8mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

COO（原産国）:: TW

Vishay EFシリーズパワーMOSFETは、高速ボディダイオード及び4世代Eシリーズテクノロジーを備え、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、電力ファクタの正確化などの用途で使用されています。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH085N60EF-T1GE3

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