Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 30 A, 0.085 Ω, 63 nC, 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- RS品番:
- 268-8300
- メーカー型番:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
代替品 / 類似品
この製品は現在お取り扱いしておりません。 お勧めの代替品です。
購入単位は 個
¥1,498
(税抜)
¥1,648
(税込)
- RS品番:
- 268-8300
- メーカー型番:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 8 x 8 | |
| シリーズ | SIHH | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.085Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8 | ||
シリーズ SIHH | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.085Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 8mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- TW
Vishay SIHHシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流30A - SIHH085N60EF-T1GE3
このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン・ソース間電圧耐性と大幅な連続電流処理を必要とするシステムに適しています。このデバイスはRoHS要件に適合し、低プロファイル基板実装用のコンパクトなPowerPAK 8x8パッケージで提供されます。
特長:
• 650V ドレイン・ソース定格で高電圧スイッチングを実現
• 30A の連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 0.085Ω のRds(on)により、導通損失を低減
• 184Wの最大消費電力により、高出力サーマルマージンを実現
• さまざまなゲートドライブレベルに対応するゲート許容差±30V
• 63nCゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 30A の連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 0.085Ω のRds(on)により、導通損失を低減
• 184Wの最大消費電力により、高出力サーマルマージンを実現
• さまざまなゲートドライブレベルに対応するゲート許容差±30V
• 63nCゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
用途
• 高電圧電源およびインバータに最適
• モータードライブフロントエンドスイッチングステージに最適
• 高出力処理が必要なDC-DCコンバータで使用
• 産業用スイッチング電源に使用可能
• 通信およびサーバー電源変換モジュールに最適
• モータードライブフロントエンドスイッチングステージに最適
• 高出力処理が必要なDC-DCコンバータで使用
• 産業用スイッチング電源に使用可能
• 通信およびサーバー電源変換モジュールに最適
動作時にどのような温度環境に耐えられますか?
このデバイスは、-55°C~150°Cまでの温度範囲で動作するように設計されており、適切な熱管理と組み合わせて、過酷な温度条件下での展開が可能です。
このパッケージは、どのように基板レベルの実装をサポートしますか?
PowerPAK 8x8表面実装フォーマットは、自動組立および効率的な基板熱ルーティングに適した4ピン配置により、低プロファイルのフットプリントを実現します。
チャンネルモードと回路設計に与える影響は?
強化モードNチャンネルデバイスであるため、スイッチングにはポジティブゲート対ソースドライブが必要で、適切なゲートドライバを使用してハイサイドまたはローサイドスイッチングトポロジを簡単に実行できます。
環境や規制に関する考慮事項はありますか?
このコンポーネントはRoHS材料制限に適合しており、コンプライアンスに基づいた設計において特定の制限物質を含まないことを示しています。
関連ページ
- Vishay MOSFET 650 V 0.085 Ω 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 650 V 0.085 Ω 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 71 mΩ 5ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 650 V 193 mΩ 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 650 V 125 mΩ 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 650 V 0.25 Ω 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8
- Vishay MOSFET 650 V 0.061 Ω 4ピン, パッケージ:PowerPAK SO-8
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.091 Ω 4ピン, パッケージ:PowerPAK 8 x 8

