Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH250N60EF-T1GE3

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RS品番:
268-8302
メーカー型番:
SIHH250N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SIHH

パッケージ型式

PowerPAK 8 x 8

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.25Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

89W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

8mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TW
VishayパワーMOSFETは、高速ボディダイオードと第4世代Eシリーズテクノロジーを備えています。スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、通信電源などの用途に使用されます。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

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