Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 13 A, 0.25 Ω, 23 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8

RS品番:: 268-8302
メーカー型番:: SIHH250N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 13 A, 0.25 Ω, 23 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8

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RS品番:: 268-8302
メーカー型番:: SIHH250N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 8 x 8
	シリーズ	SIHH
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.25Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	23nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	89W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	8mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8
	シリーズ SIHH
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.25Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 89W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 8mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

COO（原産国）:: TW

Vishay SIHHシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流13 A - SIHH250N60EF-T1GE3

このMOSFETは、コンパクトな表面実装が必要な電力変換および制御用途向けの高電圧スイッチングデバイスです。エンハンスメントモードNチャンネルトランジスタとして動作し、RoHS規制に適合しながら、過酷な熱環境で高い電圧と電流に対応するように設計されています。

特長：

• 650 V定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 13 Aの連続電流により、大幅な負荷駆動をサポート
• 0.25 Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 89 Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• 23 nC標準ゲート充電により、適度な速度のゲートトランジションを実現
• 最大30 VのVgsにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現

用途

• オフラインスイッチモード電源に最適
• 高電圧モーター駆動ステージに最適
• 電源コンバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 共振およびソフトスイッチングトポロジに使用可能
• 産業用電源管理モジュールに最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？

-55°C～150°Cの幅広い温度範囲で動作するように設計されており、過酷な熱条件下でも使用できます。

コンパクトなアセンブリには、どのようなパッケージと取り付け方法が用意されていますか?

PowerPAK 8x8パッケージで提供され、基板面積を節約し、熱伝導を向上させるために表面実装設置用に設計されています。

このデバイスの順方向電圧は、ボディダイオードの伝導にどのように影響しますか?

1.2 Vの順方向電圧は、逆伝導時に本質ダイオード経由での標準的な電圧降下を示し、同期整流またはフリーホイール経路での損失計算に影響を与えます。

回路統合にはどのようなピン構成が用意されていますか?

このコンポーネントは4つのピンを露出させ、プリント基板レイアウト時にソース、ドレイン、ゲート、タブまたはサーマルパッド配置の個別接続を容易にします。