Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 128 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiRA54ADP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
268-8338
メーカー型番:
SiRA54ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

128A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SiRA

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0022Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

65.7W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5.15mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルTrenchFET世代4パワーMOSFETは、鉛及びハロゲンフリーデバイスです。シングル構成デバイスで、同期整流及びモータ駆動制御としての用途に使用されます。

ROHS準拠

UISテスト: 100 %

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