Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- RS品番:
- 134-9698
- メーカー型番:
- SIRA90DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は5個
￥243.60
(税抜)
￥267.96
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥243.60 | ￥1,218.00 |
| 150 - 1420 | ￥236.40 | ￥1,182.00 |
| 1425 - 1895 | ￥184.80 | ￥924.00 |
| 1900 - 2395 | ￥158.80 | ￥794.00 |
| 2400 + | ￥132.80 | ￥664.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 134-9698
- メーカー型番:
- SIRA90DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 100 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.15 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.8V |
| 最大パワー消費 | 104 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 5.26mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.25mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 高さ | 1.12mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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