Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 100 A, 2.6 mΩ, 17 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
273-2632
メーカー型番:
BSC0902NSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

BSC

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

4.5V

動作温度 Max

+150°C

幅

5.35mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.1mm

高さ

350μm

自動車規格

なし

Infineon BSCシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流100A - BSC0902NSATMA1


このMOSFETは、表面実装用の8ピンTDSONパッケージで提供されるNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。幅広い環境範囲で動作しながら、低電圧で高電流を切り替えて制御するように設計されています。このデバイスは、ロジックレベルのゲートドライブとコンパクトな基板フットプリントを必要とする用途に適しており、RoHS環境基準に適合しています。

特長および利点:


• 2.6mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を低減
• 4.5Vの最大ゲートドライブにより、低電圧ロジックレベルスイッチングを実現
• 100Aの連続ドレイン容量により、高電流負荷に対応
• -55°C~+150°Cの動作範囲により、過酷な温度条件下でも性能を維持
• TDSON表面パッケージにより、基板レベルのコンパクトな電力密度を実現

用途


• 低電圧システムのDC配電に最適
• 高電流スイッチングを必要とするモータードライバーに最適
• コンパクトアセンブリのバッテリ管理回路と併用
• 電力コンバータの同期整流に使用可能
• 基板レベルの高電流負荷スイッチングモジュールに便利

信頼性の高い動作を実現するためには、どのようなゲート電圧範囲を確認する必要がありますか?


ゲートドライブは、ゲートストレスを避けるために、指定された最大4.5 Vを超えないでください。

パッケージは基板上の熱管理にどのような影響を与えますか?


TDSON 8ピン表面パッケージは、熱放散に適切な銅面積を必要とするコンパクトな熱経路を提供します。

このデバイスは自動車認定ワークフローに適していますか?


このデバイスは、幅広い温度性能を備えているにもかかわらず、自動車規格に適合していないことが指定されています。

このデバイスは、どのようなチャンネル伝導モードを使用しますか?


Nチャンネルトランジスタとしてエンハンスメントモードで動作します。

どのような環境コンプライアンスに適合していますか?


危険物質に関するRoHS規制に準拠しています。

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