Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPG-VSON-4

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RS品番:
273-2790
メーカー型番:
IPL65R099C7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

IPL

パッケージ型式

PG-VSON-4

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.8V

最大許容損失Pd

128W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Infineon MOSFETは、650 VのCoolMOS C7シリーズパワートランジスタです。CoolMOSは、Infineon Technologiesが開発したスーパージャンクション原理に基づいて設計された革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。CoolMOS C7 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。本製品は、高効率 ゲート電荷、容易な実装、優れた信頼性といった、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET の利点を提供します。

鉛フリーめっき

RoHS準拠

スイッチング損失の低減

電力密度を向上

より高い周波数を実現

ハロゲンフリー成形コンポーネント

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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