Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPG-VSON-4, IPL65R230C7AUMA1

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RS品番:
273-5349
メーカー型番:
IPL65R230C7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

PG-VSON-4

シリーズ

CoolMOS C7

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.23Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大許容損失Pd

67W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、高電圧パワーMOSFET用の革新的なCoolMOSTM技術を使用して構築されています。スーパージャンクション原理に従って設計されており、Infineon Technologiesが開発した製品です。CoolMOSTM C7シリーズは、主要なSJ MOSFETサプライヤーの経験と高クラスのイノベーションを組み合わせています。本製品は、高効率 ゲート電荷、容易な実装、優れた信頼性といった、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET の利点を提供します。

ハロゲンフリー

効率の向上

鉛フリーリードめっき

高電力密度

ゲートのより良い制御

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