Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 169 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT029N08N5ATMA1

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RS品番:
273-2793
メーカー型番:
IPT029N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

169A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

167W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、Nチャンネル80 V MOSFETで、高周波スイッチングや同期整流に最適です。対象用途に対してJEDEC準拠に適合このMOSFETは、産業用途向けのJEDEC準拠で、IEC61249 2 21準拠でハロゲンフリーです。

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れたゲート充電

非常に低いオン抵抗

100 %バランステスト済み

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