Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 160 A 75 V, AUIRF7759L2TR パッケージDirectFET
- RS品番:
- 273-5218
- メーカー型番:
- AUIRF7759L2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-5218
- メーカー型番:
- AUIRF7759L2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 160A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 160A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MX
Infineon Power MOSFETは、効率と電力密度が不可欠な用途向けに設計されています。最新のシリコン技術と組み合わせた高度なDirectFETパッケージングプラットフォームにより、IEC、HEV、EVプラットフォームのモータドライブ、高周波DC-DC、その他のヘビー負荷用途に特に大幅なシステムレベルの節約と性能の向上を実現します。このMOSFETは、最新の処理技術を使用して、低オン抵抗とシリコン面積あたりの低Qgを実現します。このMOSFETの追加の特長は、高い繰り返しピーク電流能力です。これらの機能を組み合わせて、このMOSFETは高電流自動車用途向けの高効率で頑丈で信頼性の高いデバイスです。
RoHS準拠
両面冷却
高電力密度
自動車認定
低寄生パラメータ
鉛フリー及びハロゲンフリー
高度なプロセス技術