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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	345A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	DirectFET
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.5mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	60 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	183nC
	最大許容損失Pd	341W
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 345A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 DirectFET
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 60 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC
	最大許容損失Pd 341W
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

InfineonシングルNチャンネルHEXFETパワーMOSFETは、効率と電力密度が重視される用途向けです。このMOSFETは、先進のDirectFETパッケージングプラットフォームと最新のシリコン技術により、特にモータードライブ、DC-DC、その他の高負荷アプリケーションにおいて、システムレベルの大幅なコスト削減と性能の向上を実現します。

高度なプロセス技術

小型フットプリントと低プロファイル

高電力密度

低寄生パラメータ

デュアルサイド冷却方式

動作温度：175 °C

鉛未使用

RoHS準拠

ハロゲン未使用

車載用認定

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 345 A, 表面, 8-Pin パッケージDirectFET, AUIRF7749L2TR

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