Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 345 A, 表面, 8-Pin パッケージDirectFET, AUIRF7749L2TR

RS品番:: 223-8455
メーカー型番:: AUIRF7749L2TR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 345 A, 表面, 8-Pin パッケージDirectFET, AUIRF7749L2TR

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個	単価	購入単位毎合計*
2 - 78	￥1,049.50	￥2,099
80 - 798	￥940.50	￥1,881
800 - 1598	￥831.50	￥1,663
1600 - 3198	￥723.00	￥1,446
3200 +	￥613.00	￥1,226

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RS品番:: 223-8455
メーカー型番:: AUIRF7749L2TR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	345A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	HEXFET
	パッケージ型式	DirectFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.5mΩ
	順方向電圧 Vf	1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	183nC
	最大許容損失Pd	341W
	最大ゲートソース電圧Vgs	60 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 345A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ HEXFET
	パッケージ型式 DirectFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ
	順方向電圧 Vf 1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC
	最大許容損失Pd 341W
	最大ゲートソース電圧Vgs 60 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

InfineonシングルNチャンネルHEXFETパワーMOSFETは、効率と電力密度が重視される用途向けです。このMOSFETは、先進のDirectFETパッケージングプラットフォームと最新のシリコン技術により、特にモータードライブ、DC-DC、その他の高負荷アプリケーションにおいて、システムレベルの大幅なコスト削減と性能の向上を実現します。

高度なプロセス技術

小型フットプリントと低プロファイル

高電力密度

低寄生パラメータ

デュアルサイド冷却方式

動作温度：175 °C

鉛未使用

RoHS準拠

ハロゲン未使用

車載用認定