Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 345 A, 表面, 8-Pin パッケージDirectFET, AUIRF7749L2TR
- RS Stock No.:
- 223-8455
- Mfr. Part No.:
- AUIRF7749L2TR
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Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 345A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 341W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 183nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 60 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 345A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
最大許容損失Pd 341W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 60 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
InfineonシングルNチャンネルHEXFETパワーMOSFETは、効率と電力密度が重視される用途向けです。このMOSFETは、先進のDirectFETパッケージングプラットフォームと最新のシリコン技術により、特にモータードライブ、DC-DC、その他の高負荷アプリケーションにおいて、システムレベルの大幅なコスト削減と性能の向上を実現します。
高度なプロセス技術
小型フットプリントと低プロファイル
高電力密度
低寄生パラメータ
デュアルサイド冷却方式
動作温度:175 °C
鉛未使用
RoHS準拠
ハロゲン未使用
車載用認定
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