Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージSC-70, SIA4446DJ-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
279-9902
メーカー型番:
SIA4446DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SC-70

シリーズ

SIA

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.011Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

19.2W

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

2.05mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

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