Vishay IGBT, SIA456DJ-T1-GE3
- RS品番:
- 180-7793
- メーカー型番:
- SIA456DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥77.80 | ￥778 |
| 150 - 1390 | ￥71.30 | ￥713 |
| 1400 - 1890 | ￥64.80 | ￥648 |
| 1900 - 2390 | ￥58.30 | ￥583 |
| 2400 + | ￥51.80 | ￥518 |
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- RS品番:
- 180-7793
- メーカー型番:
- SIA456DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
データシート
その他
詳細情報
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay 表面実装 N チャンネル SC-70-6 MOSFET は、ドレインソース電圧が 200 V 、最大ゲートソース電圧が 16 V の新しい製品です。ゲートソース電圧 4.5 V で、ドレインソース抵抗は 130 、 80 mhms です。最大消費電力は 19 W 、連続ドレイン電流は 2.6 A です。最小駆動電圧は 1.8 V 、最大駆動電圧は 4.5 V です。ポータブルデバイス用のブーストコンバータに用途があります。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
• ハロゲンフリー
•低オン抵抗
•熱特性が強化された新しい PowerPak SC-70 パッケージ - 省スペース
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET
•低オン抵抗
•熱特性が強化された新しい PowerPak SC-70 パッケージ - 省スペース
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET
認定
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
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