Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 60 V, 334 A, 0.00115 Ω, 162 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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梱包形態
RS品番:
279-9969
メーカー型番:
SIRS4600DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

334A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIRS

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00115Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

162nC

最大許容損失Pd

240W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

スイッチングによる電力損失を軽減

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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