Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 100 V, 225 A, 0.0025 Ω, 102 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 279-9970
- メーカー型番:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- メーカー型番:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 225A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SIRS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0025Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 240W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 102nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 225A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SIRS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0025Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 240W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 102nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。
TrenchFETパワーMOSFET
完全鉛(鉛)フリーデバイス
非常に低いRDS x Qgのメリット数値
100 % Rg及びUISテスト済み
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