Vishay MOSFET, Nチャンネル, 171 V, 171 A, 0.0035 Ω, 86 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- RS品番:
- 239-5395
- メーカー型番:
- SiRS700DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-5395
- メーカー型番:
- SiRS700DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 171 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 171 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.0035 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 86 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 自動車規格 | なし | |
| 長さ | 6 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 132 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | SiR | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 5 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 171 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 171 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.0035 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 86 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
自動車規格 なし | ||
長さ 6 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 132 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ SiR | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 5 mm | ||
The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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