Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 30 V, 192 A, 0.0033 Ω, 88 nC, 8ピン, パッケージ：1212-8SLW
- RS品番:
- 280-0029
- メーカー型番:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
代替品 / 類似品
この製品は現在お取り扱いしておりません。 お勧めの代替品です。
購入単位は5個
￥1,420
(税抜)
￥1,562
(税込)
- RS品番:
- 280-0029
- メーカー型番:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 192A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | 1212-8SLW | |
| シリーズ | SQS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0033Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 119W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.82V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 88nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 192A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 1212-8SLW | ||
シリーズ SQS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0033Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 119W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.82V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 88nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 3.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay車載MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。
TrenchFETパワーMOSFET
100 % Rg及びUISテスト済み
AEC-Q101認定
完全鉛(鉛)フリーデバイス
関連ページ
- Vishay MOSFET 192 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージ1212-8SLW, SQS120ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 44 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージ1212-8SLW, SQS181ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 141 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS160ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 110 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS142ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 101 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS141ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 58 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS136ELNW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 214 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay 車載用MOSFET 47 A MOSFET 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS135ELNW-T1_GE3