Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 192 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8SLW, SQS120ELNW-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
280-0030
メーカー型番:
SQS120ELNW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

192A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

1212-8SLW

シリーズ

SQS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0033Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

88nC

最大許容損失Pd

119W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Max

175°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Vishay車載MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

AEC-Q101認定

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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