Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRFZ48RPBF

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RS品番:
281-6035
Distrelec 品番:
171-17-666
メーカー型番:
IRFZ48RPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

IRFZ48R

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.018Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

190W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay IRFZ48RシリーズパワーMOSFET、60 Vドレインソース電圧、50 A連続ドレイン電流 - IRFZ48RPBF


このパワーMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングおよび増幅作業用に設計されたスルーホールNチャンネル強化デバイスです。中程度の電圧範囲で動作し、TO‐220ABパッケージで堅牢な耐熱性と大きな電流処理を必要とする用途に適しています。

特長:


• 中電圧回路の最大ドレイン‐ソース電圧: 60 V • 50 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷スイッチングを実現 • 0.018Ω Rds(on)により、導通損失を低減 • 190 Wの消費電力により、持続的な電力処理を実現 • 110 nC標準ゲート電荷で予測可能なスイッチング動作を実現 • 高温環境向けの最大ジャンクション温度: 175 °C

用途


• オートメーションシステムのモーター駆動段に最適 • 産業機器の電源スイッチエレメントに最適 • 配電モジュールの負荷スイッチングに使用 • 機械制御システムの高電流スイッチングに使用可能

高速スイッチングにはどのようなゲートドライブが必要ですか?


110 nCをすばやく充電するために十分なピーク電流を供給できるドライバを使用し、オーバードライブを避けるために最大20 Vのゲート‐ソース定格を遵守します。

熱管理は連続動作にどのように影響しますか?


適切なヒートシンクに取り付け、熱抵抗とデューティサイクルを計算する際に、190 Wの損失制限と175 °Cの最大動作温度を考慮してください。

基板対シャーシ取り付けに対する適合性を決定する要因は何ですか?


スルーホールTO‐220ABフォーマットは、基板実装と絶縁ヒートシンクアタッチメントの両方に適合

熱経路や機械的ストレスのニーズに基づいて取り付けを選択できます。

このデバイスは、保管および動作中に低温環境に耐えられますか?


-55 °Cまで動作するように指定されているため、材料とはんだプロセスがその下部リンドと互換性があることを確認してください。

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