Infineon パワーMOSFET, Nチャンネル, 60 V, 48 A, 0.023 Ω, 60 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 541-1809
- メーカー型番:
- IRFZ44EPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 541-1809
- メーカー型番:
- IRFZ44EPBF
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 48 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.023 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 60 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.3 V | |
| 高さ | 8.77 mm | |
| 長さ | 10.54 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 110 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 規格 / 承認 | ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 48 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.023 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 60 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.3 V | ||
高さ 8.77 mm | ||
長さ 10.54 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 110 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
シリーズ HEXFET | ||
規格 / 承認 ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | ||
幅 4.69 mm | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 48A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRFZ44EPBF
This MOSFET features an N-channel configuration, making it suitable for industrial and automation applications. It supports high continuous drain current, which is advantageous for power applications. Designed for enhanced efficiency, it is Ideal for electric and electronic systems where quick switching and durability are necessary.
Features & Benefits
• Continuous drain current capability up to 48A for effective operation
• Operates at a drain-source voltage of 60V for power management
• Low Rds(on) improves efficiency and reduces power loss
• Packaged in TO-220AB for straightforward installation and heat dissipation
• Fully avalanche rated, ensuring reliability under stress conditions
Applications
• Power supply circuits for increased efficiency
• Motor control in automation tasks
• DC-DC converters for voltage regulation
• High-performance battery management systems
• Electronic switching devices for enhanced control
What is the maximum gate-to-source voltage for safe operation?
The maximum gate-to-source voltage is ±20V, ensuring proper functionality and safety during operation.
How can this component be effectively mounted?
It is designed for through-hole mounting, facilitating a robust attachment to PCB layouts or heatsinks.
What happens if the device exceeds its maximum junction temperature?
Exceeding the maximum junction temperature of 175°C can result in thermal damage; therefore, proper cooling management is essential.
Can this be used in high-speed switching applications?
Yes, it supports fast switching capabilities, making it suitable for applications requiring Rapid signal processing.
What is the typical power dissipation capability at room temperature?
At 25°C, it can dissipate up to 110W, allowing it to handle substantial power flow without overheating.
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