Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 48 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRFZ44EPBF

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RS品番:
541-1809
メーカー型番:
IRFZ44EPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

48A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.023Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

110W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB

長さ

10.54mm

高さ

8.77mm

4.69 mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流48A、最大許容損失110W - IRFZ44EPBF


このMOSFETはNチャンネル構成を特徴としており、産業用およびオートメーション・アプリケーションに適しています。高い連続ドレイン電流に対応しており、パワー・アプリケーションに有利である。効率を高めるよう設計されており、素早い切り替えと耐久性が必要な電気・電子システムに最適です。

特徴と利点


• 最大48Aの連続ドレイン電流能力で効果的な動作を実現

• ドレイン・ソース間電圧60Vで動作し、電力管理を実現

• 低Rds(on)は効率を改善し、電力損失を低減する

• TO-220ABにパッケージされ、容易な取り付けと放熱を実現

• 完全なアバランチ規格で、ストレス条件下での信頼性を確保

用途


• 効率を高める電源回路

• モータ速度制御 自動化タスクで

• 電圧調整用DC-DCコンバータ

• 高性能バッテリー管理システム

• 制御強化のための電子スイッチ装置

安全な動作のための最大ゲート・ソース間電圧は?


最大ゲート・ソース間電圧は±20Vで、動作中の適切な機能と安全性を保証する。

このコンポーネントを効果的に搭載するにはどうすればいいのか?


スルーホール実装用に設計されており、PCBレイアウトやヒートシンクに強固に取り付けることができます。

デバイスが最大ジャンクション温度を超えるとどうなりますか?


最大ジャンクション温度175°Cを超えると、熱による損傷を引き起こす可能性があります。; したがって、適切な冷却管理が不可欠である。

高速スイッチング・アプリケーションに使用できますか?


そう、高速スイッチング機能をサポートしているので、迅速な信号処理を必要とするアプリケーションに適している。

室温での典型的な電力損失能力は?


25℃では最大110Wの放熱が可能で、オーバーヒートすることなくかなりのパワーフローに対応できる。

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