STMicroelectronics MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 50 A, 表面実装, 3 ピン, STB55NF06

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RS品番:
485-7254
メーカー型番:
STB55NF06
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

50 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

D2PAK

シリーズ

STripFET II

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

18 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

110W

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

幅

9.35mm

長さ

10.4mm

動作温度 Max

+175 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

44.5 nC @ 10 V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

4.6mm

RoHSステータス: 対象外

NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。


MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics

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