2 STMicroelectronics パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, STS4DNF60L パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
485-8358
Distrelec 品番:
304-42-969
メーカー型番:
STS4DNF60L
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

STripFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

55mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.25mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルSTripFET™デュアルMOSFET、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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