STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- RS品番:
- 485-8358
- メーカー型番:
- STS4DNF60L
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 5 - 120 | ￥327.40 | ￥1,637.00 |
| 125 - 1195 | ￥282.20 | ￥1,411.00 |
| 1200 - 1595 | ￥237.20 | ￥1,186.00 |
| 1600 - 1995 | ￥192.00 | ￥960.00 |
| 2000 + | ￥146.60 | ￥733.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 485-8358
- メーカー型番:
- STS4DNF60L
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルSTripFET™デュアルMOSFET、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 4 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOIC |
| シリーズ | STripFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 55 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 2 W |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -15 V, +15 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 5mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 4mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.25mm |
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