2 STMicroelectronics パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥277,200.00

(税抜)

￥304,925.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 10,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000￥110.88￥277,200
12500 - 22500￥109.28￥273,200
25000 - 60000￥106.567￥266,418
62500 - 122500￥103.839￥259,598
125000 +￥101.117￥252,793

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
920-6557
メーカー型番:
STS4DNF60L
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

STripFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

55mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.25mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルSTripFET™デュアルMOSFET、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ