Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 19 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRF9Z34NPBF
- RS品番:
- 541-0806
- Distrelec 品番:
- 303-41-313
- メーカー型番:
- IRF9Z34NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 541-0806
- Distrelec 品番:
- 303-41-313
- メーカー型番:
- IRF9Z34NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 19A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 100mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 35nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.6V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Distrelec Product Id | 30341313 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 19A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 100mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
順方向電圧 Vf -1.6V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.54mm | ||
高さ 8.77mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Distrelec Product Id 30341313 | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流19A、最大許容損失68W - IRF9Z34NPBF
このPチャンネルMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションで安定した性能を発揮するように設計されています。連続ドレイン電流定格は19A、ドレイン・ソース間電圧は55Vで、最新の電子システムにおける自動化や電源管理に適している。その堅牢な熱特性は、厳しい環境下での動作を可能にする。
特徴と利点
• 大電流容量で大きな負荷要件に対応
• 最大消費電力68Wで耐久性を向上
• エンハンスメント・モード設計が効率的なスイッチング性能をサポート
• 低ゲートチャージで素早い操作が可能
• 効果的な熱特性により、高温下でも安定した性能を発揮
• TO-220ABパッケージは回路への組み込みに便利
用途
• 効率優先の電源回路に最適
• オートメーションシステムのモーター制御に最適
• 高周波スイッチング・シナリオに最適
• 電力管理システムに採用され、性能を向上
このMOSFETの最高温度は？
効率と信頼性を維持しながら、最高温度+175℃での運転が可能である。
ゲート・ソース間の電圧変動はどのように処理するのですか？
最大±20Vのゲート・ソース間電圧に対応し、回路設計の柔軟性を提供する。
ドレイン・ソース間抵抗が低いことの意味は？
ドレイン・ソース間抵抗の最大値を100 mΩにすることで、電力効率が向上し、発熱が抑えられる。
高周波用途に使用できますか？
はい、10Vで35nCという低いゲート電荷により、高速スイッチングをサポートします。
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。