Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 84 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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RS品番:
541-1714
Distrelec 品番:
303-41-261
メーカー型番:
IRF1010EPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

84A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

200W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

130nC

動作温度 Max

175°C

高さ

8.77mm

幅

4.69 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.54mm

Distrelec Product Id

30341261

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流84A、最大許容損失200W - IRF1010EPBF


このMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションで高性能を発揮するように設計されています。低オン抵抗特性と高い連続ドレイン電流容量により、オートメーションや電力管理システムの技術者にとって重要な部品となっている。このデバイスは過酷な環境でも優れた性能を発揮し、幅広い温度範囲で安定した動作を保証する。

特徴と利点


• 低RDS(on)により、大電流時の電力損失を最小限に抑える。

• 最大84Aの高い連続ドレイン電流能力が効率を向上

• コンパクトなTO-220ABパッケージで実装が容易

• 高速スイッチング機能により、回路全体の性能を向上

• アバランチ規格に準拠し、デバイスを保護

用途


• 効率的な電圧レギュレーションのための電源回路

• 正確な運転のためのモーター制御システム

• 大電流のドライバー回路

• 電子機器における信号増幅

この製品の熱抵抗値は？


ジャンクション-ケース間の熱抵抗は0.75℃/W、グリースを塗布した平坦な表面でのケース-シンク間の熱抵抗は0.50℃/Wで、効率的な放熱を可能にしている。

高温の環境でも安全に運転できるか？


はい、175℃までの温度で効果的に機能するので、熱が懸念される用途に適しています。

高温ではどのような電流を扱うことができますか？


100℃のケース温度で、59Aの連続ドレイン電流を管理することができ、負荷下での信頼性の高い動作を保証する。

ゲートチャージは性能にどのような影響を与えますか？


10Vで130nCの典型的なゲート電荷により、ダイナミック・アプリケーションでの迅速なスイッチングと効率的な動作が可能になる。

Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V


Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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