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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
Vishay Nチャンネル MOSFET650 V 8.5A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
RS品番:
541-1938
メーカー型番:
IRFB9N65APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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RS品番:
541-1938
メーカー型番:
IRFB9N65APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
データシート
その他
詳細情報
仕様
IRFB9N65APBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Group 6
3D
ログインしてCADモデルをダウンロード
RoHSステータス: 適合
NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
8.5A
最大ドレイン-ソース間電圧
650 V
パッケージタイプ
TO-220AB
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
930 m Ω
チャンネルモード
エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧
2V
最大パワー消費
167 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
トランジスタ素材
Si
動作温度 Max
+150 °C
長さ
10.41mm
1チップ当たりのエレメント数
1
幅
4.7mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
48 nC @ 10 V
高さ
9.01mm
動作温度 Min
-55 °C
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