Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IRFP260NPBF
- RS品番:
- 542-9771
- メーカー型番:
- IRFP260NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計：*
￥808.00
(税抜)
￥888.80
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2 は 2025年12月29日 に入荷予定
- 189 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 5 | ￥808 |
| 6 - 11 | ￥784 |
| 12 - 15 | ￥751 |
| 16 - 19 | ￥728 |
| 20 + | ￥707 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 542-9771
- メーカー型番:
- IRFP260NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 234nC | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5.3 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 20.3mm | |
| 長さ | 15.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 234nC | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5.3 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 20.3mm | ||
長さ 15.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流50A、最大許容損失300W - IRFP260NPBF
このMOSFETはハイパワー・アプリケーション向けで、さまざまな電子システムに効率と信頼性を提供する。エンハンスメント・モード設計と堅牢な電流処理能力により、熱放散を効果的に管理しながら回路性能を最適化する上で重要な役割を果たす。
特徴と利点
• 最大50Aの連続ドレイン電流に対応し、強力なパフォーマンスを発揮
• 最大ドレイン・ソース間電圧200Vで効率的に動作
• エンハンスメント・モード設計により、コントロール性と汎用性が向上
• 40mΩの低Rds(on)でエネルギー損失を低減
• スルーホール取り付け用に設計されており、取り付けが容易
用途
• 大電流を管理する電源回路に利用される
• 自動車用 耐久性のある電子部品が必要
• 効果的な電力制御のために産業機器に適用
• 効率を高めるために再生可能エネルギーシステムによく見られる
この部品の最大消費電力は？
消費電力は最大300Wに達し、高負荷状態でも効率的な性能を発揮する。
Rds(on)が低いと回路効率はどうなりますか？
40mΩという低いRds(on)は伝導損失を大幅に低減し、全体的な効率を高め、動作中の発熱を最小限に抑える。
このMOSFETをパワー・アプリケーションに使用する利点は何ですか？
このMOSFETは高い連続ドレイン電流を供給し、広い温度範囲で効果的に動作するため、パワー・アプリケーションに適している。
回路内の他の部品との取り付けは簡単ですか？
スルーホール実装タイプは、さまざまな回路設計への組み込みを簡素化し、既存の部品と簡単に組み立てることができます。
エンハンスモードの設計はパフォーマンスにどのような影響を与えるのか？
エンハンスメント・モード設計により、十分なゲート電圧が印加されたときのみデバイスが導通するため、スイッチング効率が向上し、非活動期間中の不要な電流の流れが減少する。