Infineon MOSFET, Nチャンネル, 110 A, スルーホール, 3 ピン, IRFP064NPBF

インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

このMOSFETは、効率的な電力管理のために設計された高性能電子部品です。連続ドレイン電流110A、最大ドレイン・ソース間電圧55Vに対応し、オートメーション、エレクトロニクス、電気産業での使用に適している。エンハンスメント・モード設計により、さまざまな条件下で最適な性能を発揮し、現代の電子システムにおける役割を際立たせている。

• 8mΩの低オン抵抗が効率を高める
• 最大消費電力は200Wで、堅牢な動作を実現
• 175℃までの動作温度に対応
• ゲート・ソース間電圧が負と正の両方に対応する汎用性
• シングル・トランジスタ構成で多様なアプリケーションに対応

• 高効率を必要とする電源回路に使用
• オートメーション用モーター制御システムで一般的
• 電気通信機器に適している
• 産業環境における電力変換システムに有効

最大消費電力は200Wで、多様なアプリケーションで堅牢な性能を発揮する。

そう、最高+175℃の温度で効果的に機能し、厳しい条件にも適している。

このデバイスは、最大ゲート・ソース間電圧範囲-20V～+20Vで動作し、柔軟な制御オプションが可能です。

Nチャンネル・タイプは、効率的なスイッチングと大電流処理を必要とするアプリケーションに有益である。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。