- RS品番:
- 919-4808
- メーカー型番:
- IRFP064NPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価: 購入単位は25個
¥216.92
(税抜)
¥238.61
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
25 - 100 | ¥216.92 | ¥5,423.00 |
125 - 225 | ¥210.44 | ¥5,261.00 |
250 - 600 | ¥199.24 | ¥4,981.00 |
625 - 1225 | ¥193.64 | ¥4,841.00 |
1250 + | ¥188.00 | ¥4,700.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 919-4808
- メーカー型番:
- IRFP064NPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
- COO(原産国):
- MX
詳細情報
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V
インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 110 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 55 V |
シリーズ | HEXFET |
パッケージタイプ | TO-247AC |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 8 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 200 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +175 °C |
長さ | 15.9mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
幅 | 5.3mm |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 20.3mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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