Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 23 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IRFP9140NPBF
- RS品番:
- 542-9816
- Distrelec 品番:
- 302-84-056
- メーカー型番:
- IRFP9140NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 542-9816
- Distrelec 品番:
- 302-84-056
- メーカー型番:
- IRFP9140NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 23A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 117mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 97nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 20.3mm | |
| 幅 | 5.3 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Distrelec Product Id | 30284056 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 23A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 117mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 97nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 20.3mm | ||
幅 5.3 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
Distrelec Product Id 30284056 | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流23A、最大許容損失140W - IRFP9140NPBF
このハイパワーMOSFETは、さまざまなアプリケーションで効率的なスイッチング性能を発揮するように設計されています。パワーエレクトロニクスに理想的で、高い連続ドレイン電流能力と低抵抗を兼ね備え、オートメーションや電気システムにおいて、さまざまな動作環境において信頼性の高い精密な制御を可能にします。
特徴と利点
• Pチャンネル構成により柔軟な回路設計が可能
• 最大連続ドレイン電流23A
• 100Vのドレイン・ソース電圧定格が安全性を強化
• 117mΩの低RDS(on)で電力損失を低減
• 安定した性能を保証するエンハンスメント・モードのアプリケーションに適している
用途
• モーター制御に活用 効率向上のために
• 高い信頼性が求められるエネルギー管理システムに最適
• 堅牢な動作のための電源回路に共通
• 効果的な電力変換のためのスイッチング・レギュレータに採用
• 信頼性の高いスイッチングを必要とする産業オートメーションシステムに最適
このデバイスの最大ゲートしきい値電圧は？
最大ゲートしきい値電圧は4Vで、多様な回路設計に適している。
RDS(on)の値はパフォーマンスにどのような影響を与えますか？
117mΩという低いRDS(on)値はエネルギー損失を最小限に抑え、アプリケーションの効率と熱管理を向上させる。
このMOSFETはどのような回路に有効ですか？
リニア回路とスイッチング回路の両方に適しているため、さまざまな電子アプリケーションに多用途に使用できる。
運転に必要な典型的なゲートチャージは？
MOSFETが最適な性能を発揮するには、ゲート・ソース間電圧10Vで97nCの典型的なゲート電荷が必要である。
最高使用温度にはどのような意味がありますか？
最高動作温度は+175℃で、このデバイスは高温環境に適しており、厳しい条件下での信頼性が向上している。