Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SUD23N06-31-GE3
- RS品番:
- 636-5397
- メーカー型番:
- SUD23N06-31-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 636-5397
- メーカー型番:
- SUD23N06-31-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 23A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | SUD23N06-31 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 31mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 31.25W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 23A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ SUD23N06-31 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 31mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 31.25W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.38mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.22mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SUD23N06-31シリーズMOSFET、60 Vドレインソース電圧、23 A連続ドレイン電流 - SUD23N06-31-GE3
このMOSFETは、電子システムの電力スイッチングと制御用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。最大60 Vの電圧で動作し、コンパクトなTO-252パッケージで大きな連続電流処理と適度な消費電力を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 23 Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチング機能を実現
• 31 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 11 nC標準ゲート充電により、低ドライブ要件で高速スイッチングを実現
• 最大消費電力31.25 Wで、負荷条件下での熱ストレスに対応
• 最大ゲートソース電圧20 Vで堅牢なゲートドライブヘッドルームを実現
• -55°C～+150°Cの動作範囲により、幅広い環境耐性を実現
• 31 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 11 nC標準ゲート充電により、低ドライブ要件で高速スイッチングを実現
• 最大消費電力31.25 Wで、負荷条件下での熱ストレスに対応
• 最大ゲートソース電圧20 Vで堅牢なゲートドライブヘッドルームを実現
• -55°C～+150°Cの動作範囲により、幅広い環境耐性を実現
用途
• 持続的な高電流を必要とするDCモータドライバに最適
• 産業オートメーションの電力変換段階に最適
• 配電アセンブリの負荷スイッチングに使用
• 制御システムのスイッチング電源に使用可能
• 産業オートメーションの電力変換段階に最適
• 配電アセンブリの負荷スイッチングに使用
• 制御システムのスイッチング電源に使用可能
どのような取り付けスタイルを使用し、組み立てにどのような影響を与えますか?
TO-252表面実装パッケージで提供され、自動はんだ付けプロセスとコンパクトな基板レイアウトを実現します。
このデバイスは、基板上の熱管理にどのように対応しますか?
最大消散電力は31.25 Wで、パッケージから基板に熱を分散するために十分な銅面積又は熱バイアスが必要です。
信頼性の高い動作には、どのようなゲートドライブの考慮事項が必要ですか?
ゲートドライブは、ソースに対して±20 Vの範囲を維持し、必要なスイッチング速度に対して標準的な11 nCゲート電荷を達成するために十分な電荷供給を実現する必要があります。
設計時にはどのような電気的制限を遵守する必要がありますか?
ドレインソース間電圧が60 Vを超えることなく、目的の冷却条件下で連続ドレイン電流が23 Aを超えないことを確認してください。
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