Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SUD50N04-8M8P-4GE3
- RS品番:
- 818-7470
- メーカー型番:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 20 - 100 | ￥111.75 | ￥2,235 |
| 120 - 1180 | ￥101.45 | ￥2,029 |
| 1200 - 1580 | ￥91.85 | ￥1,837 |
| 1600 - 1980 | ￥81.55 | ￥1,631 |
| 2000 + | ￥71.30 | ￥1,426 |
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- RS品番:
- 818-7470
- メーカー型番:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0088Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.81V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大許容損失Pd | 48.1W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0088Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.81V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37nC | ||
最大許容損失Pd 48.1W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22 mm | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
高さ 2.38mm | ||
自動車規格 なし | ||