インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 94 A, スルーホール, 3 ピン, IRF1010ZPBF

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RS品番:
650-3690
メーカー型番:
IRF1010ZPBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

94 A

最大ドレイン-ソース間電圧

55 V

パッケージタイプ

TO-220AB

シリーズ

HEXFET

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

7.5 mO

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

140 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

63 nC @ 10 V

幅

4.69mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+175 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

10.54mm

高さ

8.77mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.3V

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流94A、最大許容損失140W - IRF1010ZPBF


このMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションで高性能を発揮するように設計されています。大きな電流容量と定格電圧により、オートメーションやエレクトロニクスの専門家に好まれています。高度な加工方法により、最新の電気システムに対応した効率的で信頼性の高いソリューションを提供します。

特徴と利点


• 7.5mΩの低オン抵抗で性能を強化
• 175℃までのジャンクション温度耐性
• 高速スイッチング速度で回路のエネルギー損失を最小化
• コントロール性を向上させるエンハンスメント・モード設計

用途


• 自動車システムの電源管理
• 産業機械に使用される電源回路
• 高効率コンバータとインバータ
• 効率を高めるモーター制御システム
• 再生可能エネルギー パフォーマンスを最適化する

最大ゲート・ソース間電圧レベルは？


ゲート・ソース間電圧は-20Vから+20Vまで対応可能で、さまざまな回路設計に柔軟に対応できる。

温度はパフォーマンスにどう影響するのか？


性能は広い温度範囲にわたって安定しており、-55℃から+175℃まで効率的に動作するため、過酷な条件にも適している。

このコンポーネントの高速スイッチング特性は、どのような用途に役立ちますか？


高速スイッチング機能は、急速なオン・オフ制御を必要とするDC-DCコンバータなどの高周波アプリケーションで有利です。

この部品はコンパクトな設計に適していますか？


TO-220ABパッケージは、性能を犠牲にすることなく、コンパクトなPCBレイアウトに簡単に組み込むことができます。

低RDS(on)はどのようにエネルギー効率を改善するのか？


RDS(on)が低いほど、動作中の電力損失が減少し、全体的なエネルギー効率が向上し、システムの寿命が延びる。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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