インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 8 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7351TRPBF
- RS品番:
- 915-4954
- メーカー型番:
- IRF7351TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
取扱終了
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- RS品番:
- 915-4954
- メーカー型番:
- IRF7351TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 8 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 17.8 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最大パワー消費 | 2 W | |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 4mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.3V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 8 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
シリーズ HEXFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 17.8 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
最低ゲートしきい値電圧 2V | ||
最大パワー消費 2 W | ||
トランジスタ構成 絶縁型 | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 24 nC @ 10 V | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 4mm | ||
高さ 1.5mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
順方向ダイオード電圧 1.3V | ||
デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。