onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 1.25 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, FDN5618P
- RS品番:
- 671-0463
- メーカー型番:
- FDN5618P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥91.20 | ￥456 |
| 150 - 1420 | ￥79.60 | ￥398 |
| 1425 - 1895 | ￥68.40 | ￥342 |
| 1900 - 2395 | ￥57.00 | ￥285 |
| 2400 + | ￥46.00 | ￥230 |
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- RS品番:
- 671-0463
- メーカー型番:
- FDN5618P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 170mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.94mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 長さ | 2.92mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 170mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.6nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.94mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.4 mm | ||
長さ 2.92mm | ||
自動車規格 なし | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。