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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	600 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧	20 V
	パッケージタイプ	SOT-523 (SC-89)
	シリーズ	PowerTrench
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	240 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧	0.6V
	最大パワー消費	625 mW
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-12 V, +12 V
	動作温度 Max	+150 °C
	長さ	1.7mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	トランジスタ素材	Si
	幅	0.98mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	0.8 nC @ 4.5 V
	高さ	0.78mm
	動作温度 Min	-55 °C

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 600 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧 20 V
	パッケージタイプ SOT-523 (SC-89)
	シリーズ PowerTrench
	実装タイプ表面実装
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 240 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧 0.6V
	最大パワー消費 625 mW
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +12 V
	動作温度 Max +150 °C
	長さ 1.7mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	トランジスタ素材 Si
	幅 0.98mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V
	高さ 0.78mm
	動作温度 Min -55 °C

Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 600 mA, 表面実装, 3 ピン, FDY300NZ

Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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