onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 2.5 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, NDT2955

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梱包形態
RS品番:
671-1096
メーカー型番:
NDT2955
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

NDT

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.5mm

幅

3.56 mm

高さ

1.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor


ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。

特長と利点:


•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ

•高密度セル設計

•高い飽和電流

•優れたスイッチング

•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス

• DMOS テクノロジー

用途:


•負荷スイッチング

• DC/DC コンバータ

•バッテリー保護

•電源管理制御

• DC モータ制御

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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