onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.8 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, NDT014L

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,839.00

(税抜)

￥3,122.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,960 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 180￥141.95￥2,839
200 - 1880￥124.10￥2,482
1900 - 2380￥106.20￥2,124
2400 - 3180￥89.40￥1,788
3200 +￥71.55￥1,431

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
806-1255
メーカー型番:
NDT014L
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

NDT

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.6nC

順方向電圧 Vf

0.85V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-65°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

幅

3.7 mm

高さ

1.7mm

自動車規格

なし

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET


強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ