Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 270 A, 2 mΩ, 91 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
688-7213
Distrelec 品番:
304-43-458
メーカー型番:
IRLB3036PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

270A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-16V, +16V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

91nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

380W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.02mm

長さ

10.67mm

幅

4.83mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 270A - IRLB3036PBF


このMOSFETは、産業用途での高電流・低損失スイッチング向けに設計されたパワースイッチングトランジスタです。スルーホールTO-220パッケージを採用したNチャンネルエンハンスメント型デバイスで、広い周囲温度範囲で大きな連続ドレイン電流と高い耐熱性が求められる用途に適しています。

特長:


• 2mΩ の超低オン抵抗により導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流 270A で大電流負荷に対応
• 最大許容損失 380W で高出力スイッチングに対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 60V で中電圧システムに対応
• 標準ゲート電荷 91nC によりスイッチング動作の予測が容易

用途


• 産業機器のモータ駆動段に最適
• 電源およびDC-DCコンバータに最適
• バッテリ管理システムの高電流スイッチングに使用
• 中電圧システムのインバータ出力段に使用可能

ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


ゲート酸化膜へのストレスを避けるため、ゲート-ソース間電圧が ±16V を超えないようにする必要があります。

動作温度範囲は使用条件にどのような影響を与えますか?


-55°C~175°C で動作し、過酷な温度条件や高い接合部温度での使用に対応します。

ボディダイオード導通時の順方向特性はどのようなものですか?


ダイオード導通時の順方向電圧は標準 1.3V で、同期動作時やフリーホイール期間の損失計算に影響します。

放熱にはどのようなパッケージおよび実装上の考慮事項がありますか?


TO-220スルーホールパッケージで提供され、ヒートシンクを直接取り付けやすく、熱管理能力の向上に役立ちます。

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