Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 180 A, 4 mΩ, 87 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
688-7216
Distrelec 品番:
304-35-447
メーカー型番:
IRLB4030PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-16V, +16V

最大許容損失Pd

370W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

87nC

動作温度 Max

175°C

高さ

9.02mm

規格 / 承認

No

幅

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 180A - IRLB4030PBF


このNチャンネルエンハンスメント型MOSFETは、TO-220パッケージのスルーホール実装向けに設計された大電流パワースイッチで、要求の厳しい電力変換およびスイッチング用途に適しています。広い動作温度範囲に対応し、低オン抵抗と大きな連続電流容量が求められるDC回路で効率的な導通を実現するゲート駆動制御に対応します。

特長:


• 4mΩ の超低オン抵抗により導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 180A に対応し、高負荷用途に最適
• 定格ドレイン-ソース間電圧 100V で中電圧システムに対応
• 最大許容損失 370W で持続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 87nC で、スイッチング動作の予測が容易
• ゲート-ソース間電圧は最大 16V に対応し、十分な駆動マージンを確保

用途


• 大電流モータ駆動段に最適
• 電源回路の同期整流に最適
• バッテリ管理およびDC-DCコンバーターに使用
• 産業用インバータのスイッチングに使用可能
• 通信用電力配分ラックに最適

動作時に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか?


このデバイスは -55°C~175°C で動作し、低温始動時から熱源付近の高温環境まで使用できます。

効果的に放熱するには、どのように取り付ける必要がありますか?


TO-220スルーホールパッケージで提供され、ヒートシンクへの確実なボルト固定が可能で、パッケージタブから直接熱を伝導して冷却性能を高めます。

ゲートドライバの選定に影響するスイッチング特性は何ですか?


標準総ゲート電荷は 87nC で、ドライバ回路はスイッチング損失を抑えながら、必要な遷移時間を得るために十分なピーク電流を供給する必要があります。

ボディおよびチャネルの動作は回路構成の選択にどのような影響を与えますか?


Nチャネルエンハンスメント型デバイスのため、ソースに対してゲートに正電圧を印加すると導通し、ローサイドスイッチングや同期回路構成に適しています。

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