Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 51 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
688-7308
メーカー型番:
IRLZ44ZPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

51A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

110W

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

規格 / 承認

Lead-Free

9.65 mm

高さ

8.77mm

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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