Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 18 A, 60 mΩ, 15 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 919-4895
- メーカー型番:
- IRLZ24NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 919-4895
- メーカー型番:
- IRLZ24NPBF
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 55 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 18 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 60 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.3 V | |
| 高さ | 8.77 mm | |
| 長さ | 10.54 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -16 V, +16 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 45 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 規格 / 承認 | JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 55 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 18 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 60 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.3 V | ||
高さ 8.77 mm | ||
長さ 10.54 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -16 V, +16 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 45 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
シリーズ HEXFET | ||
規格 / 承認 JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | ||
幅 4.69 mm | ||
- COO（原産国）:
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 18A Maximum Continuous Drain Current, 45W Maximum Power Dissipation - IRLZ24NPBF
This MOSFET is an essential component for various power applications, known for its efficient performance and robust specifications. Infineon's HEXFET technology ensures precision in electronic designs, making it a popular option in automation and mechanical industries. It effectively controls current flow in devices, significantly impacting modern electrical systems.
Features & Benefits
• Supports a maximum continuous drain current of 18A for high performance
• Operates under a maximum drain-source voltage of 55V for versatile applications
• Low gate threshold voltage minimises energy loss during operation
• Exhibits low drain-source resistance for enhanced efficiency
• Features enhancement mode capability for precise switching
• Can withstand temperatures up to +175°C for functionality under harsh conditions
Applications
• Utilised for power management in industrial automation systems
• Integrated into switching power supplies for optimal performance
• Employed in motor drive circuits for improved control
• Incorporated in various consumer electronics for dependable performance
What are the recommended gate-source voltages for proper operation?
The device can handle a maximum gate-source voltage of -16V to +16V, ensuring stable performance.
Can this component be used in high-temperature environments?
Yes, it operates effectively in temperatures ranging from -55°C to +175°C, suitable for diverse applications.
How does the low Rds(on) impact energy consumption?
A low drain-source resistance minimises power loss, enhancing overall efficiency and reducing heat generation during operation.
What considerations should be made during installation?
Proper attention should be given to the mounting type to ensure secure installation and adequate cooling to prevent overheating.
Is this component compatible with standard TO-220AB packages?
Yes, its design conforms to the TO-220AB standard, facilitating easy integration into existing systems.
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