Vishay MOSFETトランジスタ, Pチャンネル, 5.1 A, 表面実装, 3 ピン, SI2333CDS-T1-GE3

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

5.1 A

最大ドレイン-ソース間電圧

12 V

パッケージタイプ

SOT-23

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

35 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

0.4V

最大パワー消費

1250 mW

最大ゲート-ソース間電圧

-8 V, +8 V

幅

1.4mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

15 nC @ 4.5 V、9 nC @ 2.5 V

長さ

3.04mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.02mm

動作温度 Min

-55 °C