Vishay MOSFETトランジスタ, Pチャンネル, 5.1 A, 表面実装, 3 ピン, SI2333CDS-T1-GE3
- RS品番:
- 710-3260
- メーカー型番:
- SI2333CDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 710-3260
- メーカー型番:
- SI2333CDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 12 V | |
| パッケージタイプ | SOT-23 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 35 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.4V | |
| 最大パワー消費 | 1250 mW | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +8 V | |
| 幅 | 1.4mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V、9 nC @ 2.5 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 5.1 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 12 V | ||
パッケージタイプ SOT-23 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 35 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 0.4V | ||
最大パワー消費 1250 mW | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -8 V, +8 V | ||
幅 1.4mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 15 nC @ 4.5 V、9 nC @ 2.5 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 3.04mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
高さ 1.02mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
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